DZT5551-13, Биполярный транзистор NPN 160В 0.6A SOT-223
![Фото 1/6 DZT5551-13, Биполярный транзистор NPN 160В 0.6A SOT-223](https://static.chipdip.ru/lib/674/DOC001674531.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166733.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/876/DOC028876167.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514427.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/438/DOC034438112.jpg)
84 ֏
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
от 42 шт. —
80 ֏
от 84 шт. —
71 ֏
от 168 шт. —
62 ֏
24 шт.
на сумму 2 016 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор NPN 160В 0.6A SOT-223
Технические параметры
Корпус | SOT-223 | |
EU RoHS | Compliant | |
ECCN (US) | EAR99 | |
Part Status | Active | |
HTS | 8541.29.00.95 | |
Type | NPN | |
Product Category | Bipolar Power | |
Configuration | Single Dual Collector | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 180 | |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 160 | |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 | |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1@1mA@10mA|1.2@5mA@50mA | |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2@5mA@50mA|0.15@1mA@10mA | |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.6 | |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 | |
Minimum DC Current Gain | 80@1mA@5V|30@50mA@5V|80@10mA@5V | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 | |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 300 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
Packaging | Tape and Reel | |
Automotive | No | |
Standard Package Name | SOT-223 | |
Pin Count | 4 | |
Supplier Package | SOT-223 | |
Military | No | |
Mounting | Surface Mount | |
Package Height | 1.6 | |
Package Length | 6.5 | |
Package Width | 3.5 | |
PCB changed | 3 | |
Tab | Tab | |
Lead Shape | Gull-wing | |
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 1.65 mm | |
Длина | 6.7 mm | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 50 mA, 5 V | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V | |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | NPN | |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz | |
Размер фабричной упаковки | 2500 | |
Серия | DZT5551 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | Diodes Incorporated | |
Упаковка / блок | SOT-223-4 | |
Ширина | 3.7 mm | |
Maximum Collector Base Voltage | 180 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 160 V | |
Maximum DC Collector Current | 600 mA | |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V | |
Maximum Operating Frequency | 300 MHz | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 1 W | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Package Type | SOT-223(SC-73) | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Type | NPN | |
Вес, г | 1.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 165 КБ
Datasheet DZT5551-13
pdf, 145 КБ
Datasheet DZT5551-13
pdf, 150 КБ