1N914TR, DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Фото 1/3 1N914TR, DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
22 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт.18 ֏
от 1000 шт.13 ֏
от 2000 шт.12 ֏
100 шт. на сумму 2 200 ֏
Посмотреть аналоги4
Номенклатурный номер: 8008990013

Описание

Описание Диод: импульсный, THT, 100В, 0,3А, бобина,лента, Ifsm: 4А, DO35, 4нс Характеристики
Категория Диод
Тип импульсный
Монтаж THT
Ток прямой макс., А 0.3
Обратное напряжение макс., В 100
Корпус DO35

Технические параметры

If - прямой ток 300 mA
Ir - обратный ток 5 uA
Vf - прямое напряжение 1 V
Vr - обратное напряжение 100 V
Вид монтажа Through Hole
Время восстановления 4 ns
Высота 1.91 mm
Длина 4.56 mm
Другие названия товара № 1N914TR_NL
Категория продукта Диоды - общего назначения, управление питанием, ко
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальный ток перегрузки 4 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Пиковое обратное напряжение 100 V
Подкатегория Diodes Rectifiers
Продукт Switching Diodes
Размер фабричной упаковки 10000
Серия 1N914
Тип Small Signal Switching Diode
Тип продукта Diodes - General Purpose, Power, Switching
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок DO-35
Ширина 1.91 mm
Diameter 1.53mm
Diode Configuration Single
Diode Technology Silicon Junction
Diode Type Rectifier
Maximum Continuous Forward Current 300mA
Maximum Forward Voltage Drop 1V
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type DO-35
Peak Reverse Recovery Time 4ns
Peak Reverse Repetitive Voltage 100V
Pin Count 2
Rectifier Type Small Signal

Техническая документация