IPAN60R650CEXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 250 ֏
от 2 шт. —
1 810 ֏
от 5 шт. —
1 530 ֏
от 10 шт. —
1 450 ֏
1 шт.
на сумму 2 250 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 600V, 9.9A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.9A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.54ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; P
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 9.9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 82 W |
| Qg - заряд затвора | 20.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 8 ns |
| Время спада | 11 ns |
| Высота | 16.15 mm |
| Длина | 10.65 mm |
| Другие названия товара № | IPAN60R650CE SP001508816 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | CoolMOS CE |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Ширина | 4.85 mm |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9.9 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 650@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.5 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 28000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | CoolMOS CE |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 11 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20.5@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 440@100V |
| Typical Rise Time (ns) | 8 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 58 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.9 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 650 mO |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220 FP |
| Вес, г | 2 |
