TJ50S06M3L,LXHQ, MOSFETs 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6836 шт., срок 7-9 недель
1 760 ֏
1 шт.
на сумму 1 760 ֏
Описание
Unclassified
Automotive DevicesToshiba Automotive Devices offer an extensive lineup of MOSFETs, optical isolation, transistors, and diodes, to cover various automotive applications in 12V to 48V battery systems. In addition, Toshiba offers automotive-grade motor control drivers. Toshiba automotive devices are AEC-Q100 and AEC-Q101 qualified.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Fall Time: | 195 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Part # Aliases: | TJ50S06M3L, LXHQ(O |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 124 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 13.8 mOhms |
| Rise Time: | 77 ns |
| Series: | UMOS VI |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 710 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 100 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 255 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
