BSZ0503NSIATMA1
![BSZ0503NSIATMA1](https://static.chipdip.ru/lib/987/DOC025987264.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 900 ֏
от 2 шт. —
1 500 ֏
от 5 шт. —
1 170 ֏
от 10 шт. —
1 070 ֏
1 шт.
на сумму 1 900 ֏
Описание
Электроэлемент
30V 3.4mOhm@20A,10V 2V@250uA N Channel 1300pF@15V 20nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) TSDSON-8-FL MOSFETs ROHS
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 20(A) |
Drain-Source On-Volt | 30(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | 20(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | TSDSON EP |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 8 |
Polarity | N |
Power Dissipation | 2.1(W) |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 82 A |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Вес, г | 0.0345 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1015 КБ