MMBTA10, 25V 200mW 60@4mA,10V 100mA NPN TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
2700 шт., срок 8-10 недель
40 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
32 ֏
от 2500 шт. —
27 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 2 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
25V 200mW 60@4mA,10V 100mA NPN TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@4mA, 400uA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 60@4mA, 10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 650MHz |
| Вес, г | 1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
