BSC016N04LSGATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 050 ֏
1 шт.
на сумму 4 050 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 40V, 100A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:139W; Transistor Case Style:TDSON; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 31A(Ta), 100A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 20V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 139W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 50A, 10V |
| Series | OptiMOSв(ў |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 85ВµA |
| Drain Source On State Resistance | 0.0013Ом |
| Power Dissipation | 139Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Вес, г | 0.18 |
Техническая документация
Datasheet BSC016N04LSGATMA1
pdf, 311 КБ
Документация
pdf, 1315 КБ
