VS-12F100
![Фото 1/3 VS-12F100](https://static.chipdip.ru/lib/241/DOC004241577.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/848/DOC021848520.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/370/DOC022370737.jpg)
4 360 ֏
от 2 шт. —
4 010 ֏
от 10 шт. —
3 720 ֏
1 шт.
на сумму 4 360 ֏
Описание
Versatile and high-efficiency Standard Recovery Power Diodes in industry-standard package styles.
Технические параметры
Diode Configuration | Stud Cathode |
Diode Technology | Silicon Junction |
Diode Type | Rectifier |
Maximum Continuous Forward Current | 12A |
Maximum Forward Voltage Drop | 1.26V |
Mounting Type | Thread Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DO-4 |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 280A |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 1000V |
Pin Count | 2 |
Rectifier Type | Recovery Rectifier |
Кол-во диодов | 1 |
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 280 |
Максимальное постоянное обратное напряжение,В | 1000 |
Максимальное прямое напряжение,В при 25гр. | 1.26 |
Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 12000 |
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А | 12 |
при Iпр.,А | 38 |
Рабочая температура,С | -65…175 |
Способ монтажа | навесной |
Тип диода | общего применения |
Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max | 1kV; Forward Current If(AV) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet VS-12F10
pdf, 120 КБ