SI1416EDH-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.9A 6-Pin SC-70 лента на катушке
![Фото 1/3 SI1416EDH-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.9A 6-Pin SC-70 лента на катушке](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728775.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/214/DOC023214973.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515892.jpg)
218 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 102 шт. —
178 ֏
от 203 шт. —
169 ֏
от 405 шт. —
152 ֏
10 шт.
на сумму 2 180 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.9A 6-Pin SC-70 лента на катушке
Технические параметры
Корпус | SOT-363 | |
Id - непрерывный ток утечки | 3.9 A | |
Pd - рассеивание мощности | 2.8 W | |
Qg - заряд затвора | 12 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 58 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Время нарастания | 30 ns | |
Время спада | 50 ns | |
Другие названия товара № | SI1410EDH-T1-E3-S SI1410EDH-T1-GE3 SI1426DH-T1-E3- | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | TrenchFET | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Серия | SI1 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 15 ns | |
Типичное время задержки при включении | 1.5 ns | |
Торговая марка | Vishay Semiconductors | |
Упаковка / блок | SOT-363-6 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 3.9 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 77 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 2.8 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-363 | |
Pin Count | 6 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V | |
Width | 1.35mm | |
Вес, г | 0.05 |