APT35GP120B2DQ2G, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 46А; 543Вт; T-Max
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
89 100 ֏
от 3 шт. —
79 200 ֏
от 10 шт. —
65 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 89 100 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | T-Max |
| Collector current | 46A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 150nC |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 543W |
| Pulsed collector current | 140A |
| Technology | POWER MOS 7®, PT |
| Turn-off time | 0.22µs |
| Turn-on time | 36ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.84 |
