APT50GN60BDQ3G, Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 64А; 366Вт; TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 19 000 ֏
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 64A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 325nC |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 366W |
| Pulsed collector current | 150A |
| Technology | Field Stop |
| Turn-off time | 0.4µs |
| Turn-on time | 45ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.14 |
