APT25GP120BG, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 33А; 417Вт; TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 400 ֏
от 3 шт. —
19 400 ֏
от 10 шт. —
16 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 23 400 ֏
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 33A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 110nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 417W |
| Pulsed collector current | 90A |
| Technology | POWER MOS 7®, PT |
| Turn-off time | 197ns |
| Turn-on time | 26ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.06 |
