APT35GP120BG, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 46А; 543Вт; TO247-3
![APT35GP120BG, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 46А; 543Вт; TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517016.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 700 ֏
от 3 шт. —
20 600 ֏
от 10 шт. —
17 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 25 700 ֏
Технические параметры
Brand: | Microchip Technology |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.3 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 96 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 543 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 6.12 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 253 КБ