IPW65R070C6FKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 800 ֏
от 2 шт. —
14 900 ֏
от 5 шт. —
14 200 ֏
от 7 шт. —
13 700 ֏
1 шт.
на сумму 15 800 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 650V, 53.5A, TO-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:53.5A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.063ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.063Ом |
| Power Dissipation | 391Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 53.5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 391Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.063Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 4.43 |
Техническая документация
Datasheet IPW65R070C6FKSA1
pdf, 1705 КБ
