Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Infineon › IGW30N60TPXKSA1, Транзистор IGBT, 600В, 38А ...

IGW30N60TPXKSA1, Транзистор IGBT, 600В, 38А, 100Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 800 ֏

Кратность заказа 5 шт.

от 25 шт. — 2 000 ֏

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 14 000 ֏

Номенклатурный номер: 8009535756

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	200 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IGW30N60TP SP001379674
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	53 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	240
Серия	Trenchstop Performance
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Channel Type	N
Energy Rating	1.13mJ
Gate Capacitance	1050pF
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	53 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	200 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Transistors	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Switching Speed	30kHz
Transistor Configuration	Single
Вес, г	8.8