MT53E256M32D2DS-053-AIT:B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
46 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 46 200 ֏
Описание
Электроэлемент
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 Automotive AEC-Q100 200-Pin WFBGA Tray
Технические параметры
IC Case / Package | WFBGA |
Memory Configuration | 256M x 32bit |
Время Доступа | 535пс |
Количество Выводов | 200вывод(-ов) |
Конфигурация памяти DRAM | 256M x 32бит |
Максимальная Рабочая Температура | 95°C |
Максимальная Тактовая Частота | 1.866ГГц |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Номинальное Напряжение Питания | 1.1В |
Плотность DRAM | 8Гбит |
Плотность Памяти | 8Гбит |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | WFBGA |
Тактовая Частота | 1.866ГГц |
Тип DRAM | Mobile LPDDR4 |
Automotive | Yes |
Chip Density (bit) | 8G |
DRAM Type | Mobile LPDDR4 SDRAM |
ECCN (US) | EAR99 |
Maximum Clock Rate (MHz) | 3732 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Bits/Word (bit) | 32 |
Number of I/O Lines (bit) | 32 |
Organization | 256Mx32 |
Packaging | Tray |
Part Status | LTB |
PCB changed | 200 |
Pin Count | 200 |
PPAP | Unknown |
Standard Package Name | BGA |
Supplier Package | WFBGA |
Вес, г | 55.33 |