FMM50-025TF, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 250В; 30А; Idm: 130А; 84нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 500 ֏
от 3 шт. —
21 300 ֏
от 10 шт. —
18 700 ֏
от 25 шт. —
16 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 26 500 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\Multi channel transistors
Технические параметры
| Case | ISOPLUS i4-pac™ x024a |
| Drain current | 30A |
| Drain-source voltage | 250V |
| Gate charge | 78nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 60mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 125W |
| Pulsed drain current | 130A |
| Reverse recovery time | 84ns |
| Semiconductor structure | double series |
| Technology | HiPerFET™, Trench |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Вес, г | 5 |
