DDTC115GCA-7-F, TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
27 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 81 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 100K
Технические параметры
Brand | Diodes Incorporated |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 100 mA |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 82 |
DC Current Gain HFE Max | 82 |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Peak DC Collector Current | 100 mA |
Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Series | DDTC115 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3.05 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 82 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DDTC115 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.4 mm |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 87 КБ