BSC0703LSATMA1

Фото 1/2 BSC0703LSATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 250 ֏
от 2 шт.1 810 ֏
от 5 шт.1 470 ֏
от 10 шт.1 350 ֏
1 шт. на сумму 2 250 ֏
Номенклатурный номер: 8009597725

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 64A, PG-TDSON ROHS COMPLIANT: YES

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Channel Mode: Enhancement
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 5000
Fall Time: 3 ns
Forward Transconductance - Min: 32 S
Id - Continuous Drain Current: 64 A
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TDSON-8
Part # Aliases: BSC0703LS SP001614022
Pd - Power Dissipation: 46 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 10 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 6.5 mOhms
Rise Time: 3 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 14 ns
Typical Turn-On Delay Time: 5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.3 V
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0053Ом
Power Dissipation 46Вт
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции OptiMOS
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока 64А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 1.7В
Рассеиваемая Мощность 46Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0053Ом
Стиль Корпуса Транзистора PG-TDSON
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный

Техническая документация

Datasheet BSC0703LSATMA1
pdf, 1343 КБ
Datasheet BSC0703LSATMA1
pdf, 1290 КБ