NTE3323, Транзистор IGBT, 1,2кВ, 25А, 200Вт, TO3P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт., срок 8 недель
38 900 ֏
от 3 шт. —
31 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 38 900 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Collector current | 25A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | NTE Electronics |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 200W |
| Pulsed collector current | 50A |
| Turn-off time | 0.8µs |
| Turn-on time | 0.4µs |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 9.43 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 55 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
