NCV8402ASTT1G, IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
414 ֏
от 100 шт. —
325 ֏
от 500 шт. —
288 ֏
2 шт.
на сумму 1 080 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 42 В 2 А 8.9 Вт SOT-223 Характеристики Категория | Микросхема |
Тип | драйвер |
Вид | контроллер затвора, low-side switch |
Монтаж | SMD |
Кол-во каналов | 1 |
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Dual |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 50 us |
Id - Continuous Drain Current | 2 A |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number Of Channels | 2 Channel |
Package / Case | SOT-223-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Qualification | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance | 200 mOhms |
Rise Time | 120 us |
Series | NCV8402A |
Subcategory | MOSFETs |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 20 us |
Typical Turn-On Delay Time | 25 us |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.3 V |
Вес, г | 0.25 |
Техническая документация
Datasheet NCV8402ASTT1G
pdf, 313 КБ