BSZ12DN20NS3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 180 ֏
от 2 шт. —
1 740 ֏
от 5 шт. —
1 430 ֏
от 10 шт. —
1 310 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 180 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 200V, 11.3A, TSDSON, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:11.3A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):0.108ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Lead Finish | Tin |
| Max Processing Temp | 260 |
| Maximum Continuous Drain Current | 11.3 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| RDS-on | 125@10V mOhm |
| Typical Fall Time | 3 ns |
| Typical Rise Time | 4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 10 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PG-TSDSON-8 |
| Pin Count | 8 |
Техническая документация
Datasheet BSZ12DN20NS3GATMA1
pdf, 571 КБ
