2ED2109S06FXUMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 030 ֏
от 2 шт. —
2 760 ֏
от 10 шт. —
2 460 ֏
1 шт.
на сумму 3 030 ֏
Описание
Электроэлемент
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 0.625 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 100 ns |
Время спада | 35 ns |
Выходной ток | 230 mA, 650 mA |
Другие названия товара № | 2ED2109S06F SP001710062 |
Задержка распространения - макс. | 1030 ns |
Категория продукта | Драйверы для управления затвором |
Количество выходов | 2 Output |
Количество драйверов | 2 Driver |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное время задержки включения | 1030 ns |
Максимальное время задержки выключения | 300 ns |
Напряжение питания - макс. | 20 V |
Напряжение питания - мин. | 10 V |
Отключение | Shutdown |
Подкатегория | PMIC - Power Management ICs |
Продукт | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
Рабочий ток источника питания | 450 uA |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Технология | Si |
Тип | High Side, Low Side |
Тип логики | CMOS, LSTTL |
Тип продукта | Gate Drivers |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | DSO-8 |
Чувствительный к влажности | Yes |
IC Case / Package | SOIC |
Задержка Выхода | 200нс |
Задержка по Входу | 740нс |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Количество Каналов | 1канал(-ов) |
Конфигурация Привода | Полумост |
Максимальное Напряжение Питания | 20В |
Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
Минимальное Напряжение Питания | 10В |
Стиль Корпуса Привода | SOIC |
Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET |
Ток истока | 290мА |
Ток стока | 700мА |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Fall Time | 80ns |
Output Current | 290 mA |
Package Type | DSO |
Pin Count | 8 |
Supply Voltage | 20V |
Вес, г | 0.3324 |