N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin DPAK TK60S06K3L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 8 недель
2 380 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 11 900 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Automotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.
Технические параметры
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 12.3 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 88 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Width | 7mm |
| Вес, г | 100 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
