RN1106(TE85L,F) NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin ESM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
650 шт., срок 8 недель
154 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 770 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Built-in bias resistors, use of fewer parts enables device size reduction and space-saving assembly Wide resistance-value range makes product suitable for diverse applications
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum DC Current Gain | 80 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | ESM |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Typical Input Resistor | 4.7 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 0.1 |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
