Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › N-Channel MOSFET, 600 mA, 200 V ...

N-Channel MOSFET, 600 mA, 200 V, 4-Pin HVMDIP IRFD210PBF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 690 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 690 ֏

Номенклатурный номер: 8009755157

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 0,38А, 1Вт, DIP4

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	600 mA
Maximum Drain Source Resistance	1.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	HVMDIP
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	8.2 nC @ 10 V
Width	6.29mm
Id - непрерывный ток утечки	600 mA
Pd - рассеивание мощности	1 W
Qg - заряд затвора	8.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	IRFD
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	HVMDIP-4
Base Product Number	IRFD210 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	600mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.2nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	4-DIP (0.300"", 7.62mm)
Power Dissipation (Max)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 360mA, 10V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.10.00.80
Product Category	Power MOSFET
Configuration	Single Dual Drain
Maximum Drain Source Voltage (V)	200
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Continuous Drain Current (A)	0.6
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	1500@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	8.2(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	8.2(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	140@25V
Maximum Power Dissipation (mW)	1000
Typical Fall Time (ns)	8.9
Typical Rise Time (ns)	17
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	14
Typical Turn-On Delay Time (ns)	8.2
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Automotive	No
Standard Package Name	DIP
Supplier Package	HVMDIP
Military	No
Mounting	Through Hole
Package Height	3.37(Max)
Package Length	5(Max)
Package Width	6.29(Max)
PCB changed	4
Lead Shape	Through Hole
RoHS	Подробности
Vds - напряжение пробоя затвор-исток	20 V
Время нарастания	17 ns
Время спада	17 ns
Производитель	Vishay
Типичное время задержки выключения	14 ns
Вес, г	2