N-Channel MOSFET, 7.7 A, 60 V, 3-Pin IPAK IRLU014PBF

Фото 1/3 N-Channel MOSFET, 7.7 A, 60 V, 3-Pin IPAK IRLU014PBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 650 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 8 250 ֏
Номенклатурный номер: 8009755559

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
МОП-транзистор N-Chan 60V 7.7 Amp

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 7.7 A
Maximum Drain Source Resistance 200 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -10 V, +10 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 2.5 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type IPAK(TO-251)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 8.4 nC @ 5 V
Width 2.39mm
Категория продукта МОП-транзистор
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 809 КБ
Datasheet
pdf, 2160 КБ
Datasheet IRLU014PBF
pdf, 798 КБ