N-Channel MOSFET, 7.7 A, 60 V, 3-Pin IPAK IRLU014PBF
![Фото 1/3 N-Channel MOSFET, 7.7 A, 60 V, 3-Pin IPAK IRLU014PBF](https://static.chipdip.ru/lib/704/DOC027704841.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/437/DOC004437577.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/530/DOC006530249.jpg)
1 650 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 8 250 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
МОП-транзистор N-Chan 60V 7.7 Amp
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 7.7 A |
Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | IPAK(TO-251) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V |
Width | 2.39mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 809 КБ
Datasheet
pdf, 2160 КБ
Datasheet IRLU014PBF
pdf, 798 КБ