Diodes Inc FMMT415TD NPN Transistor, 500 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 400 ֏
1 шт.
на сумму 14 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Биполярные транзисторы - BJT NPN Avalanche
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | 320 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Maximum DC Collector Current | 500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 40 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 330 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 3 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 10 mA at 10 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 25 at 10 mA at 10 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 260 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | FMMT41 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Вес, г | 2 |
