Dual N-Channel MOSFET, 180 mA, 20 V, 6-Pin US6 SSM6N35FU(TE85L,F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
310 шт., срок 8 недель
132 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 1 320 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 180 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | US6 |
| Pin Count | 6 |
| Series | SSM6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.25mm |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet SSM6N35FU(TE85L,F)
pdf, 203 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
