N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4128DY-T1-GE3
![Фото 1/3 N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4128DY-T1-GE3](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762061.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762072.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/163/DOC012163150.jpg)
396 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 980 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs SO-8
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 7.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 24 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2.4 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOIC |
Pin Count | 8 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V, 8 nC @ 10 V |
Width | 4mm |
Другие названия товара № | SI4128DY-GE3 |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | SI4 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Вес, г | 5 |