100V 10A, Schottky Diode, 3-Pin TO-277A V10P10-M3/86A
![Фото 1/3 100V 10A, Schottky Diode, 3-Pin TO-277A V10P10-M3/86A](https://static.chipdip.ru/lib/677/DOC040677840.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/141/DOC038141262.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/581/DOC047581262.jpg)
1 100 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 5 500 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Schottky Diodes & Rectifiers
The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure.
Технические параметры
Diode Configuration | Single |
Diode Technology | Schottky Barrier |
Diode Type | Schottky |
Maximum Continuous Forward Current | 10A |
Maximum Forward Voltage Drop | 620mV |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-277A |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 180A |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 100V |
Pin Count | 3 |
Rectifier Type | Schottky Rectifier |
Case | SMPC |
Kind of package | reel, tape |
Load current | 10A |
Manufacturer | VISHAY |
Max. forward impulse current | 180A |
Max. forward voltage | 0.574V |
Max. off-state voltage | 100V |
Mounting | SMD |
Semiconductor structure | single diode |
Type of diode | Schottky rectifying |
Вес, г | 0.172 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 531 КБ
Datasheet V10P10-M3/86A
pdf, 550 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ