Diodes Inc BC847AT-7-F NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin SOT-523
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
163 ֏
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 8 150 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Описание Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 100мА; 150мВт; SOT523 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Minimum DC Current Gain | 110 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-523(SC-89) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 15 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | Yes |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Supplier Package | SOT-523 |
| Standard Package Name | SOT |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 0.75 |
| Package Length | 1.6 |
| Package Width | 0.8 |
| PCB changed | 3 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.75 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BC847A |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-523-3 |
| Ширина | 0.8 mm |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Вес, г | 8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 295 КБ
Datasheet
pdf, 301 КБ
Datasheet
pdf, 310 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BC847AT-7-F
pdf, 159 КБ
