Diodes Inc ZXTP19100CGTA PNP Transistor, -2 A, -100 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
![Фото 1/5 Diodes Inc ZXTP19100CGTA PNP Transistor, -2 A, -100 V, 3 + Tab-Pin SOT-223](https://static.chipdip.ru/lib/357/DOC021357204.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC016769276.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166733.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514427.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/609/DOC007609938.jpg)
620 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 6 200 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Биполярные транзисторы - BJT PNP 100V 2A
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | -110 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -100 V |
Maximum DC Collector Current | -2 A |
Maximum Emitter Base Voltage | -7 V |
Maximum Operating Frequency | 142 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 10.2 W |
Minimum DC Current Gain | 200 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223(SC-73) |
Pin Count | 3+Tab |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Pd - рассеивание мощности | 5300 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.65 mm |
Длина | 6.7 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 at - 2 A, - 2 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 at - 100 mA, -2 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 110 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 130 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 142 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | ZXTP191 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm |
Base Product Number | ZXTP19100C -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 142MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 3W |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 295mV @ 200mA, 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Automotive | No |
Configuration | Single Dual Collector |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1@200mA@2A |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 110 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 100 |
Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 5300 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 142(Typ) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Power |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-223 |
Tab | Tab |
Type | PNP |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 491 КБ
Datasheet
pdf, 211 КБ
Datasheet ZXTP19100CGTA
pdf, 496 КБ
Datasheet ZXTP19100CGTA
pdf, 504 КБ