N-Channel MOSFET, 27 A, 800 V, 3-Pin TO-264AA IXFK27N80Q
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 20 300 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 27А, 481Вт, TO264 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 27 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 320 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-264AA |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Q-Class |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Width | 5.13mm |
| Вес, г | 2 |
