Diodes Inc BCP5316TA PNP Transistor, -1 A, -80 V, 3 + Tab-Pin SOT-223

Фото 1/7 Diodes Inc BCP5316TA PNP Transistor, -1 A, -80 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
102 ֏
Кратность заказа 50 шт.
50 шт. на сумму 5 100 ֏
Номенклатурный номер: 8009798497
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage -100 V
Maximum Collector Emitter Voltage -80 V
Maximum DC Collector Current -1 A
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Maximum Operating Frequency 150 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 2 W
Minimum DC Current Gain 100
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-223(SC-73)
Pin Count 3+Tab
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Pd - рассеивание мощности 2 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.65 mm (Max)
Длина 6.7 mm (Max)
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25 at - 5 mA at - 2 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 250 at - 150 mA at - 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 125 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BCP53
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.7 mm (Max)
Base Product Number BCP5316 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 150MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 2W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-223
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Automotive No
Configuration Single Dual Collector
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Material Si
Maximum Collector Base Voltage (V) 100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.5 50mA 500mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 80
Maximum DC Collector Current (A) 1
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 2000
Maximum Transition Frequency (MHz) 150(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Mounting Surface Mount
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
PPAP No
Product Category Bipolar Power
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-223
Supplier Temperature Grade Automotive
Tab Tab
Type PNP
Brand Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO -100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max -80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage -0.5 V
Continuous Collector Current -1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 25 at-5 mA, -2 V
DC Current Gain HFE Max 250 at-150 mA, -2 V
Emitter- Base Voltage VEBO -5 V
Factory Pack Quantity 1000
Gain Bandwidth Product FT 125 MHz
Manufacturer Diodes Incorporated
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 2 W
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series BCP53
Subcategory Transistors
Transistor Polarity PNP
Вес, г 8

Техническая документация

Datasheet
pdf, 393 КБ
Datasheet
pdf, 347 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 111 КБ
Datasheet BCP5316TA
pdf, 343 КБ