Diodes Inc FZT1051ATA NPN Transistor, 5 A, 40 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
![Фото 1/4 Diodes Inc FZT1051ATA NPN Transistor, 5 A, 40 V, 3 + Tab-Pin SOT-223](https://static.chipdip.ru/lib/357/DOC021357204.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514427.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/609/DOC007609938.jpg)
1 240 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 12 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Gain & Crnt
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 150 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
Maximum DC Collector Current | 5 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 155 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
Minimum DC Current Gain | 270 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223(SC-73) |
Pin Count | 3+Tab |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.65 mm |
Длина | 6.7 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 at 10 A, 2 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 290 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 340 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 155 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FZT105 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm |
Base Product Number | FZT1051 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 1A, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 155MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 2.5W |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 100mA, 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
Pd - Power Dissipation | 2.5W |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 47 КБ
Datasheet FZT1051ATA
pdf, 896 КБ
Datasheet FZT1051ATA
pdf, 765 КБ
Datasheet FZT1051ATA
pdf, 812 КБ