P-Channel MOSFET, 10 A, 30 V, 8-Pin SOP TPC8125
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 шт., срок 7 недель
423 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 115 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -10А, 1Вт, SOP8 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 17 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.9 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOP |
| Pin Count | 8 |
| Series | TPC |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Width | 3.9mm |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TPC8125
pdf, 221 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
