N-Channel MOSFET, 26 A, 500 V, 3-Pin TO-3PN IXFQ26N50P3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 500 ֏
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 23 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 26А, 500Вт, TO3P Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 240 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-3PN |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Polar3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Width | 4.9mm |
| Вес, г | 5 |
