P-Channel MOSFET, 6.1 A, 50 V, 3-Pin TO-220AB IRF9Z20PBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 050 ֏
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 20 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
МОП-транзистор P-Chan 50V 9.7 Amp
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 280 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Width | 4.65mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.7 A |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRF9Z |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вес, г | 8 |
