50V 4A, Schottky Diode, 2-Pin DO-221BC V4PAN50-M3/I
![50V 4A, Schottky Diode, 2-Pin DO-221BC V4PAN50-M3/I](https://static.chipdip.ru/lib/859/DOC023859878.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
780 ֏
Кратность заказа 40 шт.
Добавить в корзину 40 шт.
на сумму 31 200 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Schottky Diodes & Rectifiers
The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure.
Технические параметры
Diode Configuration | Single |
Diode Technology | Schottky Barrier |
Diode Type | Schottky |
Maximum Continuous Forward Current | 4A |
Maximum Forward Voltage Drop | 590mV |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DO-221BC |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 80A |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 50V |
Pin Count | 2 |
Rectifier Type | Schottky Rectifier |
Вес, г | 14 |