N-Channel MOSFET, 76 A, 650 V, 4-Pin SOT-227 IXTN102N65X2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
55 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 55 600 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The IXYS X2 class Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Maximum Continuous Drain Current | 76 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 30 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 595 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-227 |
| Pin Count | 4 |
| Series | X2-Class |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 152 nC @ 10 V |
| Width | 25.42mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 76 A |
| Pd - рассеивание мощности | 595 W |
| Qg - заряд затвора | 152 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 30 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Время нарастания | 28 ns |
| Время спада | 11 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 67 ns |
| Типичное время задержки при включении | 37 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 76A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10900pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Power Dissipation (Max) | 595AW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 51A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 30 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXTN102N65X2
pdf, 130 КБ
Datasheet IXTN102N65X2
pdf, 646 КБ
Datasheet IXTN102N65X2
pdf, 154 КБ
