IXTY1N120P, Транзистор N-MOSFET, 1,2кВ, 1А, 63Вт, TO252, 900нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 470 ֏
от 5 шт. —
3 070 ֏
от 25 шт. —
2 300 ֏
от 70 шт. —
1 950 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 470 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO252 |
| Drain current | 1A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | standard power mosfet |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 20Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 63W |
| Reverse recovery time | 900ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.31 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 299 КБ
