SKM75GB12V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. с центрального склада, срок 3 недели
82 300 ֏
от 2 шт. —
78 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 82 300 ֏
Посмотреть аналоги1
Описание
Электроэлемент
IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 114A; Transistor Polarity: Dual Channel; DC Collector Current: 114A; Emitter...
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 114(A) |
| Collector-Emitter Voltage | 1200(V) |
| Configuration | Dual |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | '±20(V) |
| Mounting | Screw |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
| Pin Count | 7 |
| Rad Hardened | No |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 114 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | SEMITRANS2 |
| Transistor Configuration | Series |
| Вес, г | 176 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 164 КБ
Datasheet SKM75GB12V
pdf, 385 КБ
Документация
pdf, 245 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 17 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 21 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
