FMMT591TA, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
80 ֏
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
от 118 шт. —
66 ֏
от 235 шт. —
58 ֏
от 469 шт. —
53 ֏
25 шт.
на сумму 2 000 ֏
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А
Технические параметры
| Корпус | SOT23-3 | |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В | |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
| Максимальная рабочая частота | 150 MHz | |
| Количество элементов на ИС | 1 | |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,1 В | |
| Длина | 3.04мм | |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 40 В | |
| Transistor Configuration | Одинарный | |
| Производитель | DiodesZetex | |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 40 В | |
| Тип корпуса | SOT-23 | |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт | |
| Тип монтажа | Surface Mount | |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
| Ширина | 1.4мм | |
| Максимальный пост. ток коллектора | 1 A | |
| Тип транзистора | PNP | |
| Высота | 1.02мм | |
| Число контактов | 3 | |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В | |
| Размеры | 1.02 x 3.04 x 1.4мм | |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 30 | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V | |
| Maximum DC Collector Current | 1A | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Transistor Type | PNP | |
| Maximum Collector Base Voltage | 40 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW | |
| Minimum DC Current Gain | 100 | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Вес, г | 0.03 |
