N-Channel MOSFET, 1.7 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRLD014PBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 580 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 580 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 1,2А, 1,3Вт, HVMDIP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | HVMDIP |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V |
| Width | 6.29mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.7 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Qg - заряд затвора | 8.4 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 110 ns |
| Время спада | 26 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.9 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.3 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | DIP-4 |
| RoHS | Подробности |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 10 V |
| Производитель | Vishay |
| Automotive | No |
| Configuration | Single Dual Drain |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.7 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 200@5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1300 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 4 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | DIP |
| Supplier Package | HVMDIP |
| Typical Fall Time (ns) | 26 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.4(Max)@5V |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 6.4(Max) |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 2.6(Max) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 400@25V |
| Typical Output Capacitance (pF) | 170 |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 340 |
| Typical Rise Time (ns) | 110 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 17 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.3 |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1725 КБ
Datasheet
pdf, 1724 КБ
Datasheet
pdf, 845 КБ
Datasheet IRLD014PBF
pdf, 1728 КБ
Документация
pdf, 1729 КБ
