APT50GN60BG, Транзистор IGBT, 600В, 64А, 366Вт, TO247
![APT50GN60BG, Транзистор IGBT, 600В, 64А, 366Вт, TO247](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517016.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 100 ֏
от 3 шт. —
8 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 100 ֏
Технические параметры
Brand: | Microchip Technology |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 107 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 107 A |
Continuous Collector Current: | 107 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 600 nA |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Operating Temperature Range: | -55 C to+175 C |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 366 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 136 КБ