F3L100R07W2E3B11BOMA1, Trans IGBT Module N-CH 650V 117A 300W 14-Pin EASY2B-2 Tray
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
70 100 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
60 400 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 140 200 ֏
Описание
The Infineon IGBT module has 650 V VCES, 100 A continuous DC collector current 3 level phase leg phase leg IGBT module with TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC and Press FIT Contact Technology.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 117 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
Maximum Power Dissipation | 300 W |
Mounting Type | Panel Mount |
Package Type | Module |
Вес, г | 1 |