TK22A10N1.S4X(S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 120 ֏
1 шт.
на сумму 2 120 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH Si 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Технические параметры
| Automotive | No |
| Military | No |
| Packaging | Magazine |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220SIS |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 52 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 13.8 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220SIS |
| Series | TK |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Width | 4.5mm |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TK22A10N1,S4X
pdf, 236 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
