IPD031N06L3GATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 100А, 167Вт, PG-TO252-3
![Фото 1/3 IPD031N06L3GATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 100А, 167Вт, PG-TO252-3](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757727.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236151.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
2 340 ֏
1 шт.
на сумму 2 340 ֏
Описание
Описание Транзистор полевой IPD031N06L3GATMA1 от INFINEON – это высокопроизводительный N-MOSFET элемент, предназначенный для SMD монтажа. С его помощью можно управлять током стока до 100 А при напряжении сток-исток 60 В, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии всего 0,0031 Ом, он обеспечивает повышенную эффективность и уменьшает потери мощности, которая достигает 167 Вт. Корпус PG-TO252-3 гарантирует надежность и простоту интеграции в различные электронные схемы. Выбирая IPD031N06L3GATMA1, вы получаете надежный и долговечный компонент для своих проектов. Код товара для удобства поиска и заказа: IPD031N06L3GATMA1. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 100 |
Напряжение сток-исток, В | 60 |
Мощность, Вт | 167 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0031 |
Корпус | PG-TO252-3 |
Технические параметры
Корпус | PG-TO252-3 | |
Вид | N-MOSFET | |
Монтаж | SMD | |
Мощность, Вт | 167 | |
Напряжение сток-исток, В | 60 | |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0031 | |
Тип | полевой | |
Ток стока, А | 100 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 100 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 5.2 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 167 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | DPAK(TO-252) | |
Pin Count | 3 | |
Series | OptiMOS 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 59 nC @ 4.5 V | |
Width | 6.223mm | |
Continuous Drain Current (Id) | 100A | |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.1mΩ@100A, 10V | |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V | |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.2V@93uA | |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13nF@30V | |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) | |
Power Dissipation (Pd) | 167W | |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 79nC@4.5V | |
Type | null | |
Вес, г | 1.43 |
Техническая документация
Datasheet IPD031N06L3GATMA1
pdf, 445 КБ
Infineon Technologies IPD031N06L3GATMA1
pdf, 441 КБ