VEMD10940F IR Si Photodiode, Surface Mount
![Фото 1/3 VEMD10940F IR Si Photodiode, Surface Mount](https://static.chipdip.ru/lib/745/DOC043745097.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/921/DOC028921027.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/921/DOC028921030.jpg)
94 ֏
Кратность заказа 100 шт.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 9 400 ֏
Описание
Displays & Optoelectronics\Optocouplers & Photodetectors\Photodiodes
Описание Точечный ИК-фотодиод, 920нм, 0,78-1,05мкм, 150°, Монтаж SMD Характеристики Монтаж | SMD |
Технические параметры
Amplifier Function | No |
Breakdown Voltage | 32V |
Diode Material | Si |
Maximum Wavelength Detected | 1050nm |
Minimum Wavelength Detected | 780nm |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 2 |
Polarity | Positive |
Series | VEMD109 |
Short Circuit Current | 3µA |
Spectrums Detected | Infrared |
Typical Fall Time | 100ns |
Typical Rise Time | 100ns |
Wavelength of Peak Sensitivity | 920nm |
Width | 2mm |
Dark Current | 10(nA) |
Fall Time | 100(ns) |
Forward Voltage | 1(V) |
Lens Type | DAY LIGHT FILTER |
Light Current | 4(uA) |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temp Range | -40C to 100C |
Operating Temperature Classification | Industrial |
Package Type | SMD |
Packaging | Tape and Reel |
Peak Wavelength | 920(nm) |
Photodiode Material | Si |
Photodiode Type | PIN |
Pin Count | 2 |
Power Dissipation | 0.104(W) |
Rad Hardened | No |
Reverse Breakdown Voltage | 60(V) |
Rise Time | 100(ns) |
Type | Chip |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet VEMD10940F
pdf, 271 КБ
Документация
pdf, 287 КБ